double-surface transistor

double-surface transistor
  1. двусторонний транзистор

 

двусторонний транзистор

[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

  • электротехника, основные понятия

EN

  • double-surface transistor


Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии. . 2015.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Смотреть что такое "double-surface transistor" в других словарях:

  • Double patterning — is a class of technologies developed for photolithography to enhance the feature density. For the semiconductor industry, double patterning is the only lithography technique to be used for the 32 nm and 22 nm half pitch nodes in 2008 2009 and… …   Wikipedia

  • Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …   Wikipédia en Français

  • Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… …   Wikipedia

  • Diffusion transistor — A diffusion transistor is any transistor formed by diffusing dopants into a semiconductor substrate. Diffusion transistors include some types of both bipolar junction transistors and field effect transistors. The diffusion process was developed… …   Wikipedia

  • Organic field-effect transistor — OFET based flexible display An organic field effect transistor (OFET) is a field effect transistor using an organic semiconductor in its channel. OFETs can be prepared either by vacuum evaporation of small molecules, by solution casting of… …   Wikipedia

  • двусторонний транзистор — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN double surface transistor …   Справочник технического переводчика

  • Multigate device — A multigate device or multiple gate field effect transistor(MuGFET) refers to a MOSFET which incorporates more than one gate into a single device. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces …   Wikipedia

  • Business and Industry Review — ▪ 1999 Introduction Overview        Annual Average Rates of Growth of Manufacturing Output, 1980 97, Table Pattern of Output, 1994 97, Table Index Numbers of Production, Employment, and Productivity in Manufacturing Industries, Table (For Annual… …   Universalium


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»